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IRG7CH30K10EF
IGBT CHIP WAFER
Numero di parte
IRG7CH30K10EF
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
-
Tipo di ingresso
Standard
temperatura di esercizio
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Potenza: max
-
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die
Tempo di recupero inverso (trr)
-
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
10A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
1200V
Tipo IGBT
Trench
Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic
2.56V @ 15V, 10A
Corrente - Collettore pulsato (Icm)
-
Cambiare energia
-
Carica di cancello
4.8nC
Td (acceso/spento) @ 25�C
10ns/90ns
Condizione di test
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
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