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IRFL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Numero di parte
IRFL014NPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Not For New Designs
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-223
Dissipazione di potenza (massima)
1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
55V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.9A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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