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IRFH3702TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Numero di parte
IRFH3702TR2PBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-PQFN (3x3)
Dissipazione di potenza (massima)
2.8W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
16A (Ta), 42A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
7.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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