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IRF7807ATRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Numero di parte
IRF7807ATRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Dissipazione di potenza (massima)
2.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8.3A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
17nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V
Vg (massimo)
±12V
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