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IRF7103Q
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Numero di parte
IRF7103Q
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potenza: max
2.4W
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
50V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
255pF @ 25V
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