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IRF7706TRPBF
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
Numero di parte
IRF7706TRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-TSSOP
Dissipazione di potenza (massima)
1.51W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2211pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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