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IRF7702GTRPBF

IRF7702GTRPBF

MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP
Numero di parte
IRF7702GTRPBF
Produttore/Marchio
Serie
HEXFET®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-TSSOP
Dissipazione di potenza (massima)
1.5W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
12V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
81nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3470pF @ 10V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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