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IPU60R1K5CEAKMA2
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
Numero di parte
IPU60R1K5CEAKMA2
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™ CE
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO251
Dissipazione di potenza (massima)
49W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.1A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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