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IPU50R1K4CEBKMA1

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Numero di parte
IPU50R1K4CEBKMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™
Stato della parte
Last Time Buy
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO251-3
Dissipazione di potenza (massima)
25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
3.1A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
178pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
13V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di IPU50R1K4CEBKMA1
IPU50R1K4CEBKMA1 Componenti elettronici
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