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IPU10N03LA G

IPU10N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
Numero di parte
IPU10N03LA G
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO251-3
Dissipazione di potenza (massima)
52W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
10.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
11nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1358pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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Parole chiave di IPU10N03LA G
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