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IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Numero di parte
IPT60R080G7XTMA1
Produttore/Marchio
Serie
CoolMOS™ G7
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerSFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-HSOF-8
Dissipazione di potenza (massima)
167W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
29A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 490µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 400V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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