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IPI037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Numero di parte
IPI037N08N3GHKSA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO262-3
Dissipazione di potenza (massima)
214W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
100A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
117nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
8110pF @ 40V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
6V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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