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IPI024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Numero di parte
IPI024N06N3GHKSA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO262-3
Dissipazione di potenza (massima)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
120A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
275nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 30V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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