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IPD50N03S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Numero di parte
IPD50N03S2L06ATMA1
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO252-3-11
Dissipazione di potenza (massima)
136W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
50A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
68nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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