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IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
Numero di parte
IPC50N04S55R8ATMA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TDSON-8
Dissipazione di potenza (massima)
42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
50A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.4V @ 13µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1090pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
7V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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