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IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Numero di parte
IPB200N25N3GATMA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
D²PAK (TO-263AB)
Dissipazione di potenza (massima)
300W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
250V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
64A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
86nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
7100pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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