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IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Numero di parte
IPB017N10N5LFATMA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™-5
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO263-7
Dissipazione di potenza (massima)
313W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
180A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.1V @ 270µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
195nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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