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IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Numero di parte
IPB011N04LGATMA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TO263-7-3
Dissipazione di potenza (massima)
250W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
180A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 200µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
346nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
29000pF @ 20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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