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BSS119 E6433
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Numero di parte
BSS119 E6433
Produttore/Marchio
Serie
SIPMOS®
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-SOT23-3
Dissipazione di potenza (massima)
360mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
170mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.3V @ 50µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
Vg (massimo)
±20V
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