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BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Numero di parte
BSC900N20NS3GATMA1
Produttore/Marchio
Serie
OptiMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
PG-TDSON-8
Dissipazione di potenza (massima)
62.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
15.2A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 30µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
11.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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