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GB01SLT12-252
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Numero di parte
GB01SLT12-252
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252
Tipo di diodo
Silicon Carbide Schottky
Corrente - Media rettificata (Io)
1A
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If
1.8V @ 1A
Corrente - Dispersione inversa @ Vr
2µA @ 1200V
Tensione - CC inversa (Vr) (Max)
1200V
Velocità
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)
0ns
Temperatura operativa - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Capacità @ Vr, F
69pF @ 1V, 1MHz
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