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GA50JT06-258
TRANS SJT 600V 100A
Numero di parte
GA50JT06-258
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-258-3, TO-258AA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-258
Dissipazione di potenza (massima)
769W (Tc)
Tipo FET
-
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
100A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 50A
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
-
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