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GA20JT12-247
TRANS SJT 1.2KV 20A
Numero di parte
GA20JT12-247
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
temperatura di esercizio
175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-247-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-247AB
Dissipazione di potenza (massima)
282W (Tc)
Tipo FET
-
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
20A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 20A
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
-
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