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GA100JT17-227
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Numero di parte
GA100JT17-227
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Not For New Designs
Confezione
Tube
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto/custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-227
Dissipazione di potenza (massima)
535W (Tc)
Tipo FET
-
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
160A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 100A
Vgs(esimo) (Max) @ Id
-
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 800V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
-
Vg (massimo)
-
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