L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
EPC8009
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Numero di parte
EPC8009
Produttore/Marchio
Serie
eGaN®
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
temperatura di esercizio
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die
Dissipazione di potenza (massima)
-
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
65V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
2.7A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
52pF @ 32.5V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
5V
Vg (massimo)
+6V, -4V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 23768 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di EPC8009
EPC8009 Componenti elettronici
EPC8009 Vendita
EPC8009 fornitore
EPC8009 Distributore
EPC8009 Tabella dati
EPC8009 Fotografie
EPC8009 Prezzo
EPC8009 Offerta
EPC8009 Prezzo più basso
EPC8009 Ricerca
EPC8009 Acquisto
EPC8009 Patata fritta