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DMTH10H025LK3-13
MOSFET NCH 100V TO252
Numero di parte
DMTH10H025LK3-13
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-252, (D-Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
3.1W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
51.7A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1477pF @ 50V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
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