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DMTH10H010LCT
MOSFET 100V 108A TO220AB
Numero di parte
DMTH10H010LCT
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220AB
Dissipazione di potenza (massima)
2.4W (Ta), 166W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
108A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2592pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±20V
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