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DMT2004UFDF-7
MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6
Numero di parte
DMT2004UFDF-7
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-UDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo del fornitore
U-DFN2020-6 (Type F)
Dissipazione di potenza (massima)
800mW (Ta), 12.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
24V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
14.1A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1.45V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
53.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1683pF @ 15V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
2.5V, 10V
Vg (massimo)
±12V
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