Acquista Diodes Incorporated DMN61D8LQ-7 MOSFET N-CH 60V SOT23

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Schede tecniche

DMN61D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V SOT23

Numero di parte

DMN61D8LQ-7

Produttore/Marchio

Diodes Incorporated

Serie

Stato della parte

Active

Confezione

Cut Tape (CT)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo del fornitore

SOT-23

Dissipazione di potenza (massima)

390mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

470mA (Ta)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

3V, 5V

Vg (massimo)

±12V

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