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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V SOT23
Numero di parte
DMN61D8LQ-7
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23
Dissipazione di potenza (massima)
390mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
470mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
12.9pF @ 12V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
3V, 5V
Vg (massimo)
±12V
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Parole chiave di DMN61D8LQ-7
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