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Schede tecniche

DMN6013LFGQ-7

MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

Numero di parte

DMN6013LFGQ-7

Produttore/Marchio

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Stato della parte

Active

Confezione

Cut Tape (CT)

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto/custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo del fornitore

PowerDI3333-8

Dissipazione di potenza (massima)

1W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Funzionalità FET

Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Carica gate (Qg) (max) @ Vgs

55.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2577pF @ 30V

Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)

4.5V, 10V

Vg (massimo)

±20V

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