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DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Numero di parte
DMN2300UFB4-7B
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
3-XFDFN
Pacchetto dispositivo del fornitore
X2-DFN1006-3
Dissipazione di potenza (massima)
500mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.3A (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
64.3pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.5V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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