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DMN2004K-7
MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
Numero di parte
DMN2004K-7
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-23-3
Dissipazione di potenza (massima)
350mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
630mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 16V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±8V
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