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DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Numero di parte
DMN2019UTS-13
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potenza: max
780mW
Pacchetto dispositivo del fornitore
8-TSSOP
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5.4A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 10V
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