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DMG1012T-7

DMG1012T-7

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Numero di parte
DMG1012T-7
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
SOT-523
Pacchetto dispositivo del fornitore
SOT-523
Dissipazione di potenza (massima)
280mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
630mA (Ta)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
0.74nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
60.67pF @ 16V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
1.8V, 4.5V
Vg (massimo)
±6V
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Parole chiave di DMG1012T-7
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