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CPMF-1200-S080B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Numero di parte
CPMF-1200-S080B
Produttore/Marchio
Serie
Z-FET™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Bulk
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
Die
Pacchetto dispositivo del fornitore
Die
Dissipazione di potenza (massima)
313mW (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
50A (Tj)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
90.8nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1915pF @ 800V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
+25V, -5V
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