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C3M0075120J-TR
1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON
Numero di parte
C3M0075120J-TR
Produttore/Marchio
Serie
C3M™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263-7
Dissipazione di potenza (massima)
113.6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
51nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 1000V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
15V
Vg (massimo)
+15V, -4V
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