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C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR

MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Numero di parte
C3M0065090J-TR
Produttore/Marchio
Serie
C3M™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pacchetto dispositivo del fornitore
D2PAK-7
Dissipazione di potenza (massima)
113W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
900V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
35A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.1V @ 5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
15V
Vg (massimo)
+19V, -8V
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Parole chiave di C3M0065090J-TR
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