L'immagine può essere rappresentativa.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
Vedi le specifiche per i dettagli del prodotto.
C3M0075120J
MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Numero di parte
C3M0075120J
Produttore/Marchio
Serie
C3M™
Stato della parte
Active
Confezione
Bulk
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pacchetto dispositivo del fornitore
D2PAK-7
Dissipazione di potenza (massima)
113.6W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
51nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 1000V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
15V
Vg (massimo)
+19V, -8V
Richiedi preventivo
Completa tutti i campi obbligatori e fai clic su INVIA, ti contatteremo entro 12 ore via e-mail. In caso di problemi, lascia messaggi o invia un'e-mail a [email protected]ì, ti risponderemo il prima possibile.
In magazzino 44989 PCS
Informazioni sui contatti
Prodotti correlati
Parole chiave di C3M0075120J
C3M0075120J Componenti elettronici
C3M0075120J Vendita
C3M0075120J fornitore
C3M0075120J Distributore
C3M0075120J Tabella dati
C3M0075120J Fotografie
C3M0075120J Prezzo
C3M0075120J Offerta
C3M0075120J Prezzo più basso
C3M0075120J Ricerca
C3M0075120J Acquisto
C3M0075120J Patata fritta