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C2M1000170J-TR
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Numero di parte
C2M1000170J-TR
Produttore/Marchio
Serie
C2M™
Stato della parte
Active
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Pacchetto dispositivo del fornitore
D2PAK-7
Dissipazione di potenza (massima)
78W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
5.3A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.1V @ 500µA (Typ)
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
13nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 1000V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
20V
Vg (massimo)
+25V, -10V
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