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CDBJFSC101200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Numero di parte
CDBJFSC101200-G
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Active
Confezione
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-220F
Tipo di diodo
Silicon Carbide Schottky
Corrente - Media rettificata (Io)
10A (DC)
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Corrente - Dispersione inversa @ Vr
100µA @ 1200V
Tensione - CC inversa (Vr) (Max)
1200V
Velocità
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)
0ns
Temperatura operativa - Giunzione
-55°C ~ 175°C
Capacità @ Vr, F
780pF @ 0V, 1MHz
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