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AON5810
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Numero di parte
AON5810
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Potenza: max
1.6W
Pacchetto dispositivo del fornitore
6-DFN-EP (2x5)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
7.7A
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
13.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 10V
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