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AOI1N60

AOI1N60

MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
Numero di parte
AOI1N60
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-251A
Dissipazione di potenza (massima)
45W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
1.3A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 650mA, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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Parole chiave di AOI1N60
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