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AOB412L
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
Numero di parte
AOB412L
Produttore/Marchio
Serie
SDMOS™
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263 (D²Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
2.6W (Ta), 150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
8.2A (Ta), 60A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
15.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
54nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3220pF @ 50V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
7V, 10V
Vg (massimo)
±25V
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