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AOB29S50L
MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Numero di parte
AOB29S50L
Produttore/Marchio
Serie
aMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263 (D²Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
357W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
500V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
29A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
26.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1312pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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