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AOB20S60L
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Numero di parte
AOB20S60L
Produttore/Marchio
Serie
aMOS™
Stato della parte
Active
Confezione
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo del fornitore
TO-263 (D²Pak)
Dissipazione di potenza (massima)
266W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Funzionalità FET
-
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
20A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
4.1V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1038pF @ 100V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
10V
Vg (massimo)
±30V
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