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NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Numero di parte
NXH100B120H3Q0STG
Categoria
Power IC > Power Module
Produttore/Marchio
onsemi (Ansemi)
Incapsulamento
-
Imballaggio
tray
Numero di pacchi
24
Descrizione
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