AGM-Semi (core control source)
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AGM403A1-KU
N-channel 40V 120A 2.7mΩ
Numero di parte
AGM403A1-KU
Categoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Produttore/Marchio
AGM-Semi (core control source)
Incapsulamento
PDFN(5x6)
Imballaggio
taping
Numero di pacchi
3000
Descrizione
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 120A Power (Pd): 105W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.7mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 20nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 3nF@15V Operating Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
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