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VQ1006P-E3
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Numero di parte
VQ1006P-E3
Produttore/Marchio
Serie
-
Stato della parte
Obsolete
Confezione
Tube
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto/custodia
-
Potenza: max
2W
Pacchetto dispositivo del fornitore
14-DIP
Tipo FET
4 N-Channel
Funzionalità FET
Logic Level Gate
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
90V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
400mA
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
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