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SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Numero di parte
SQS411ENW-T1_GE3
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato della parte
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® 1212-8W
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® 1212-8W
Dissipazione di potenza (massima)
53.6W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
16A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
27.3 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
3191pF @ 25V
Vg (massimo)
±20V
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)
4.5V, 10V
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