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SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Numero di parte
SQJ560EP-T1_GE3
Produttore/Marchio
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stato della parte
Active
temperatura di esercizio
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto/custodia
PowerPAK® SO-8 Dual
Potenza: max
34W (Tc)
Pacchetto dispositivo del fornitore
PowerPAK® SO-8 Dual
Tipo FET
N and P-Channel
Funzionalità FET
Standard
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25�C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds attivo (max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(esimo) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
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